Кількість абзаців - 8 Розмітка (ліва колонка)


Про внесення змін до Закону України ''Про спеціальний режим інвестиційної та інноваційної діяльності технологічних парків ''Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка'', "Інститут електрозварювання ім. Є.О.Патона", "Інститут монокристалів" (Друге читання)

0. Проект ЗАКОН УКРАЇНИ Про внесення змін до Закону України "Про спеціальний режим інвестиційної та інноваційної діяльності технологічних парків "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка", "Інститут електрозварювання імені Є.О.Патона", "Інститут монокристалів"  
1. Верховна Рада України п о с т а н о в л я є:  
2. І. Внести до Закону України "Про спеціальний режим інвестиційної та інноваційної діяльності технологічних парків "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка". "Інститут електрозварювання імені Є.О.Патона", "Інститут монокристалів" ( Відомості Верховної Ради України, 1999, N 40 , ст. 363 ) такі зміни:  
3. 1. Викласти назву Закону в такій редакції:  
4. Закон України "Про спеціальний режим інвестиційної та інноваційної діяльності технологічних парків "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка", "Інститут електрозварювання імені Є.О.Патона", "Інститут монокристалів", "Вуглемаш".  
5. 2. У преамбулі після слів "Інститут монокристалів" (м.Харків)" доповнити словами "Вуглемаш" (м.Донецьк)"  
6. ІІ. Цей Закон набирає чинності з дня його опублікування.  
7. Кабінету Міністрів України у тримісячний строк привести свої нормативно-правові акти у відповідність з цим Законом.